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主题

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机构

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  • 2 篇 专用集成电路与系...
  • 2 篇 山东大学
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  • 2 篇 深圳大学
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  • 2 篇 电子科技大学
  • 2 篇 院新疆物理研究所...
  • 2 篇 飞兆半导体

作者

  • 3 篇 曾传滨
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检索条件"主题词=金属氧化物半导体"
303 条 记 录,以下是1-10 订阅
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低成本无线电集成电路的集成问题
低成本无线电集成电路的集成问题
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中国科协第三届青年学术年会
作者: 廖家俊 科技大学电子工程系
大众化的无线电产品很多均在1~2GHz之间。此等频率对于现代硅晶体管已不是难于达到。但至今还未能看见大规模的高频电路集成在同一块硅片上面。这困难有三个原因:(1)无源元件质量较差;(2)干扰;(3)不足的晶体管模型。... 详细信息
来源: 万方会议 评论
纳米技术对CMOS集成电路测试的影响
纳米技术对CMOS集成电路测试的影响
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全国第六届电子测量与仪器学术报告会
作者: 刘建都 牛鹏俊 国营惠安化工军代室 空军工程学院
首先说明了纳米技术对故障测试影响的几个方面,然后详细分析了纳米技术对常用的CMOS集成电路故障模型(如:单一固定性故障模型、桥路故障模型、开路故障模型、延迟故障模型和I故障模型)的影响及相应的措施,这对实际测试CMOS集成电路具有... 详细信息
来源: 万方会议 评论
溶液法制备金属氧化物薄膜晶体管的研究进展
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半导体技术 2018年 第5期43卷 321-334页
作者: 吴宝仔 廖荣 刘玉荣 华南理工大学电子与信息学院 广州 510640
金属氧化物薄膜晶体管(MOTFT)因具有迁移率高、可见光透明、工艺简单、可低温制备等优势,在高性能平板显示、可穿戴柔性电子、集成传感器等领域具有广阔的应用前景。主要回顾了溶液法制备MOTFT的研究进展。首先介绍了溶液法制备MOTFT相... 详细信息
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A New silicon—on—Insulator Structure of Metal—Oxide—Semiconductor Field Effect Transistor to Reduce Self—Heating Effect
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中国理快报:英文版 2003年 第1期20卷 158-163页
作者: LIN Qing ZHANG Zheng-Xuan ZHU Ming XIE Xin-Yun SONG Hua-Qing LIN Cheng-Lu StateKeyLaboratoryofFunctionalMaterialsforInformatics ShanghaiInstituteofMicrosystemandInformationTechnologyCHineseAcademyofSciencesShanghai200050 StateKeyLaboratoryofFunctiona
A new silicon-on-insulator (SOI) device structure is proposed. This new design provides a new path to reduce the temperature of the channel of SOI metal-oxide-semiconductor Geld effect transistor (MOSFET). The device ... 详细信息
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横向变厚度漂移区SOI LDMOS工艺技术研究
横向变厚度漂移区SOI LDMOS工艺技术研究
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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
作者: 郭宇锋 薛龙来 周井泉 南京邮电大学电子科学与工程学院 江苏南京 210003
首先通过求解二维扩散方程,建立了单窗口LOCOS 技术的氧化层轮廓函数模型,然后借助Delta 函数,将任意的氧化层轮廓函数表示为一系列单窗口轮廓函数的组合,并给出了确定窗口位置和窗口宽度的方法,进而基于该方法设计了一种和CMOS ... 详细信息
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针对PC摄像机的单片数字信号处理器SAA8116
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电子设计工程 2000年 第12期 34-34页
飞利浦半导体日前宣布推出单片数字信号处理器(DSP)SAA8116,它拥有PC摄像机所需要的多种在片功能,并集成了视频信号处理、视频压缩、音频编码及通用串行总线(USB1.1)功能。高度集成的SAA8116器件可为用户的PC摄像机带来出色的视频质... 详细信息
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金属氧化物半导体微纳结构制备及其气敏特性研究
金属氧化物半导体微纳结构制备及其气敏特性研究
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作者: 王双明 吉林大学
学位级别:博士
近年来,高性能的气体传感器在环境检测、工业生产以及疾病诊断等方面扮演了非常重要的角色。基于金属氧化物半导体的气体传感器因其较低的成本和优异的气敏特性成为气体传感器领域的研究热点。对于金属氧化物半导体气体传感器,优异的... 详细信息
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欧盟为5G打造Ⅲ-Ⅴ族CMOS技术
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半导体信息 2016年 第2期 19-20页
欧盟(E.U.)最近启动一项为期三年的'为下一代高性能CMOS SoC技术整合Ⅲ-Ⅴ族纳米半导体'(INSIGHT)研发计划,这项研发经费高达470万美元的计划重点是在标准的互补金属氧化物半导体(CMOS)上整合Ⅲ-Ⅴ族晶体管通道。其最终目的则在于符合... 详细信息
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Harmonisiertes Guetebestaetigungsystem fuer Bauelemente der Elektronik. Familien-Spezifikation. Digitale integrierte HC MOS-Schaltungen Serien HC/HCT/HCU Specification for Harmonized system of quality assessment for electronic comonents Family Specification Digital integrated HC MOS circuits series HC/HCT/HCU Système harmonise d'assurance de la qualite des composants electroniques. Specification de famille. Circuits integres digitaux HC MOS series HC/HCT/HCU REMAINS CURRENT"
Harmonisiertes Guetebestaetigungsystem fuer Bauelemente der ...
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This standard lists the ratings, characteristics and inspection require-ments which shall be included as mandatory requirements in accordance with BS CECC 90100 in any detail specification for these devices.
来源: 万方标准 万方标准 评论
气体传感器的最新动向
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红外 1994年 第6期 31-36页
作者: 高田义 江涛 日本新コスモス电机(株)
随着气体传感器的普及和发展,对气体传感器的要求也越来越高,期待能研制出性能更好、可靠性更高的传感器。这样,被测气体的种类也会大幅度增加。气体传感器在测定大气污染、水质污染、气候暖化以及引起臭氧洞等环境问题的 NOx、SOx、CO2... 详细信息
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