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GaAs的CH4/H2反应离子腐蚀研究
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固体电子学研究与进展 1995年 第4期15卷 403-407页
作者: 许兆鹏 南京电子器件研究所
在前研究InP的CH4/H2反应离子腐蚀的基础上,进行了GaAs的CH4/H2反应离子腐蚀研究。GaAs的腐蚀速率比InP慢,随CH4/H2组份之比值、工作压强、总流量率等而改变,从2nm/min到8nm/min。当... 详细信息
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红外猝灭非线性砷化镓光电导开关产生太赫兹的实验研究
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红外与激光工程 2016年 第4期45卷 44-48页
作者: 徐鸣 李孟霞 安鑫 卞康康 施卫 西安理工大学 应用物理系 陕西 西安 710048
在实验上对光激发电荷畴进行有效的猝灭, 是利用具有雪崩倍增效应的非线性砷化镓光电导开关作为太赫兹辐射源的关键问题之一。提出了基于双光束红外激光来猝灭砷化镓光电导开关的非线性模式的初步实验方法, 两束激光时延为100 ps, 其中... 详细信息
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辐照法制备太赫兹波发射晶体的机理研究
辐照法制备太赫兹波发射晶体的机理研究
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作者: 黄灿 中国科学院研究生院(上海应用物理研究所)
学位级别:硕士
太赫兹(THz)技术在材料科学、生物成像、反恐以及通信等诸多领域有着广阔而重要的应用前景,被认为是21世纪的十大关键技术之一。作为太赫兹系统最核心的组件,太赫兹发射源的研究长期以来都是人们关注的重点。传统的太赫兹波发射源一... 详细信息
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离子注入大直径SI-GaAs电特性的研究
离子注入大直径SI-GaAs电特性的研究
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第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议
作者: 王娜 王丽华 孙卫忠 郝秋艳 刘彩池 河北工业大学信息功能材料研究所 天津 300130
用离子注入的方法把Si注入到大直径LEC SI-GaAs中,用霍尔测量方法研究了热处理条件对样品电特性的影响。发现在快速热退火温度为900℃、保温时间为5 s时,样品获得了最好的电激活效率。当退火温度高于950℃时,样品导电类型由n型变为p型... 详细信息
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GaAs核辐射探测器研制的初步结果
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核电子学与探测技术 2007年 第2期27卷 283-285页
作者: 王柱生 肖国青 谭继廉 李占奎 卢子伟 鲍志勤 张玲 李龙才 张宏斌 中国科学院近代物理研究所 中国科学院近代物理研究所 兰州730000
介绍了厚度为300~800μm, 有效面积为50~113mm~2的高阻G_aA_s单晶材料制备的核辐射GaAs探测器的研制工艺,测试结果.
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X波段砷化镓功率单片电路的CAD
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智能制造 1997年 第9期 29-29页
作者: 何循来 军械工程学院科技开发办公室!河北省石家庄市和平西路 050003
本文介绍了以栅宽1200μmGaAsFET器件为基础的W级GaAsMMICCAD的几个关键技术和设计过程,并通过研制结果来证实其设计的合理性和可行性。其设计思想对其它频段的功率单片的CAD有一定的参数价值。
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TMG和TEGMOCVD生长GaAs的研究
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功能材料与器件学报 1994年 第1期 25-27页
作者: 丁永庆 胡建勋
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商用砷化镓射频集成电路的生产测试
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国外电子测量技术 1996年 第2期 24-26页
作者: 刘明亮
本文叙述了商用射频集成电路的生产测试的特殊要求。由于产品成本对市场销售的影响最为敏感,所以本文将讨论那些使测试费用在产品成本中占有量尽量少的技术。并向大家推荐测试硬件、测试软件、器件的自动化处理方法和测试方案最佳化技... 详细信息
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我国利用空间微重力研究植物取得突破进展
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福建农业科技 1993年 第5期 34-34页
作者:
一株水稻长3个穗,一只青椒重350克,这是我国利用返回式卫星将植物种子搭载升空又回收种植后出现的奇迹。返回式卫星不仅是观测地球的空间平台,而且是空间理想的微重力试验平台,1987年以来,我国继美国、前苏联之后,涉足空间微重力条件下... 详细信息
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利用FFT图象检测和分析砷化镓材料中的缺陷
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电子与信息学报 1988年 第4期 377-380页
作者: 张福贵 中国科学院电子学研究所 北京
砷化镓材料中缺陷的不均匀分布严重地限制了集成电路生产的重复性。本文首次提出一种利用傅里叶变换频谱图象检测和分析沿和方向上位错缺陷的统计分布的方法,称为FTIT检验法。文中定义的相参系数α和纹理复杂系数β是定量地检验制造集... 详细信息
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